Подпишитесь на еженедельную рассылку
Эл. почта



Следующее поколение смартфонов Samsung получит 1 ТБ встроенной памяти

31 января

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области разработки передовых технологий памяти, начинает массовое производство первого в отрасли встроенного модуля флеш-памяти Embedded Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) емкостью 1 ТБ, предназначенного для использования в мобильных устройствах следующего поколения. Спустя всего четыре года после выхода своего первого UFS-решения, eUFS емкостью 128 ГБ, Samsung преодолела терабайтный порог объема памяти смартфона. Вскоре владельцам смартфонов будет доступна память, сопоставимая с объемом памяти на ноутбуке премиум-класса, без необходимости приобретать дополнительные карты памяти для своих телефонов.

«Встроенный модуль eUFC емкостью 1ТБ будет критически важным для обеспечения опыта использования мобильных устройств следующего поколения как на ноутбуке», - прокомментировал Чеол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу подразделения памяти в Samsung Electronics. – «Samsung стремится обеспечить наиболее надежную цепочку поставок и достаточные объемы производства для будущих флагманских смартфонов с целью ускорения роста мирового рынка мобильных устройств».

Несмотря на прежние размеры (11,5 мм x 13 мм), решение eUFC 1ТБ обладает вдвое большим объемом памяти по сравнению с прошлой версией емкостью 512 ГБ. Это достигается благодаря комбинации 16-слойного чипа в продвинутой флеш-памяти с фирменным контроллером. Пользователи смартфонов смогут хранить до 260 10-минутных видео в формате 4K UHD (3840x2160), тогда как eUFC емкостью 64 ГБ вмещают только 13 видео аналогичного размера.

eUFS емкостью 1 ТБ также обладает исключительной скоростью, что позволяет передавать большие объемы мультимедийного контента в кратчайшее время. Новый накопитель обеспечивает скорость до 1000 Мб/с – вдвое больше, чем стандартный 2,5-дюймовый твердотельный накопитель SATA (SSD). Это означает, что видео в формате Full HD размером 5 ГБ можно переписать на NVMe SSD всего за пять секунд, что в 10 раз быстрее, чем позволяет обычная карта microSD. Скорость случайного чтения по сравнению с версией 512 ГБ увеличилась на 38% и достигла 58 000 IOPS. Произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее, чем позволяют высокопроизводительные карты microSD (100 IOPS), – ее скорость может достигать 50 000 IOPS. Это позволяет осуществлять высокоскоростную непрерывную съемку со скоростью 960 кадров в секунду, благодаря чему владельцы флагманских устройств смогут в полной мере использовать все возможности многокамерной съемки.

Samsung намерена расширять производство своих V-NAND пятого поколения емкостью 512 ГБ на заводе в городе Пхёнтэк, Корея, в первой половине 2019 года, чтобы полностью удовлетворить ожидаемый высокий спрос на eUFS емкостью 1 ТБ со стороны производителей мобильных устройств по всему миру.

Комментарии

Пока нет ни одного сообщения

Добавление сообщения

наверх